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  2026-03-15 5001拉斯维加斯-LTC7891 驱动 GaN 器件：死区时间优化与过冲测量关键技术

  【导读】电源转换范畴用上氮化镓（GaN）器件后，能实现更高能量密度及更快开关速率，但GaN FET没有体二极管，且栅极电压限定严苛，死区时间的设置成为了老浩劫问题。死区时间过短会激发“纵贯”，直接毁坏

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  2026-03-15 5001拉斯维加斯-特瑞仕半导体株式会社发布耐浪涌电流强的肖特基势垒二极管

  650V 6A/8A/10A SiC肖特基势垒二极管XBSC41/XBSC42/XBSC43系列特瑞仕半导体股份有限公司（东京都东京都江东区，代表董事：木村岳史，如下简称特瑞仕）开发了具有优秀耐浪涌电

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  2026-03-15 5001拉斯维加斯-功率放大器：超声检测的“隐形动力源”

  【导读】于工业无损检测范畴，超声波是穿透质料、探访隐藏缺陷的焦点“探针”，而功率放年夜器则是付与这根探针强劲机能的要害装备。它依附能量倍增、信噪砥砺、场景适配三年夜焦点能力，冲破超声检测于穿透力、分辩

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  2026-03-15 5001拉斯维加斯-2.5D封装核心：CoWoS技术的架构、演进与突破

  【导读】于人工智能、高机能计较与数据中央芯片向超高密度、超低延迟迭代的海潮中，台积电主导的CoWoS进步前辈封装技能成为焦点支撑，更是“逾越摩尔”时代异构集成的要害抓手。这项2.5D封装技能以硅中介层

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  2026-03-15 5001拉斯维加斯-工业自动化中的光耦：隔离、优势与挑战

  【导读】于工业主动化向高效、安全、靠得住标的目的进级的进程中，电气断绝与抗滋扰能力成为保障体系不变运行的焦点诉求。光耦作为一种基在光电转换道理实现电气断绝的要害元件，依附其怪异的布局设计，于输入端与输

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